Основными контролируемыми параметрами являются геометрические размеры, топология и наличие дефектов покрытия. Контроль проводится при помощи полу автоматизированного микроскопа Nikon Eclipse L200А (описанного выше) в светлом и темном поле.

1. Процесс отмывки, описанный выше в п. 1 описания технологического процесса, оканчивается контролем качества отмывки. Посторонние частицы и другие точечные загрязнения на подложке дают преломление света, в темном поле микроскопа и выглядят ˝звездами˝ на темном фоне. Количество этих частиц практически пропорционально количеству забракованных ИМС, оценку их количества проводим подсчитывая число потенциального брака, визуально. При большом количестве точек, больше расчетного относительно ранее проведенного процесса, проводится более тщательная очистка.

2. После проявления и полимеризации фоторезиста п. 8 описания технологического процесса, контроль рельефа в пленке фоторезиста проводим визуально под микроскопом. Проверяя всю рабочую поверхность подложки с имеющимися на ней элементами рисунка из пленки фоторезиста. Контролируются следующие основные критерии качества пленки: чистота рабочего поля пленки фоторезиста, наличие проколов и их количество, геометрические размеры элементов рельефа, неполное удаление фоторезиста в окнах, искажение формы элементов рисунка, наличие ореола и клина в рельефе рисунка. При обнаружении того или иного дефекта в пленке фоторезиста проводят анализ возможных причин его появления. После этого составляют план мероприятий по доработке отдельных технологических операций.

3. После удаления фотомаски п. 11 описания технологического процесса, контроль рельефа в подложки проводим визуально под микроскопом. Контролируя рабочую поверхность на соответствие ее топологии и геометрии элементов плану. Контролируются следующие основные критерии качества: наличие каверн, разрывов и их количество, геометрические размеры элементов рельефа; неполное удаление фотомаски, искажение формы элементов рисунка, наличие сужений, утолщений и изменений глубины рисунка. При обнаружении того или иного дефекта в пленке фоторезиста проводят анализ возможных причин его появления. После этого составляют план мероприятий по доработке отдельных технологических операций.